苏州市德风芯半导体有限公司
Mini ALD System

TAKCHIP

微型 ALD 系统

低成本/小型化/简化的研发系统

1. 加热Mini ALD

- 层流型

- 單一加热型

- 缓冲区和集群系统

2. 等离子微型 ALD

微型 ALD 系统


Application
规格参数
项 目 内 容
腔体类型 横向型(行波)
反应类型 使用热(H2O,DI)
基板尺寸 8 英寸(200 毫米)
尺寸(宽 x 长 x 高) 800 x 480 x 540 毫米
重量 < 80 千克
均匀性 ≤±2%(25 点 EE15mm 内)
≤±1%(晶圆到晶圆)
循环时间 ≤ 10 秒/周期
每循环生长 ≤ 1.2Å/周期
沉积速率 ≥ 7Å/分钟(参考,Al2O3)
RI Al2O3 :1.55~1.65 / SiO2 :1.4 ~ 1.5
TiO2 :1.9~2.0 等
透射率 ≥ 95%(玻璃上 50nm 厚度)
WVTR(@50nm) 单层:低 10E-3 g/m2-day
纳米层:低 10E-5 g/m2-day
基准压力 ≤ 1.0x10-3Torr(≤ 5分钟)
工艺压力 0.5~2 Torr
基板温度 最高400℃,≤±1%(设定温度)
材料 腔体:Al6061
加热器:块式加热器
可用沉积膜 DI/O3 金属氧化物
H2S 金属硫化物
O3 发生器(可选) O3 发生器 _ 220g/cm3 _ 2L/min
真空计 ATM 开关
Baratron 压力表(<10 Torr)
泵类型 油旋转泵(<1000L/min)
ETC 每条进料管路旁通管路
笔记本电脑控制
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