TAKCHIP
低成本/小型化/简化的研发系统
1. 加热Mini ALD
- 层流型
- 單一加热型
- 缓冲区和集群系统
2. 等离子微型 ALD
项 目 | 内 容 |
腔体类型 | 横向型(行波) |
反应类型 | 使用热(H2O,DI) |
基板尺寸 | 8 英寸(200 毫米) |
尺寸(宽 x 长 x 高) | 800 x 480 x 540 毫米 |
重量 | < 80 千克 |
均匀性 | ≤±2%(25 点 EE15mm 内) |
≤±1%(晶圆到晶圆) | |
循环时间 | ≤ 10 秒/周期 |
每循环生长 | ≤ 1.2Å/周期 |
沉积速率 | ≥ 7Å/分钟(参考,Al2O3) |
RI | Al2O3 :1.55~1.65 / SiO2 :1.4 ~ 1.5 |
TiO2 :1.9~2.0 等 | |
透射率 | ≥ 95%(玻璃上 50nm 厚度) |
WVTR(@50nm) | 单层:低 10E-3 g/m2-day |
纳米层:低 10E-5 g/m2-day | |
基准压力 | ≤ 1.0x10-3Torr(≤ 5分钟) |
工艺压力 | 0.5~2 Torr |
基板温度 | 最高400℃,≤±1%(设定温度) |
材料 | 腔体:Al6061 |
加热器:块式加热器 | |
可用沉积膜 | DI/O3 金属氧化物 |
H2S 金属硫化物 | |
O3 发生器(可选) | O3 发生器 _ 220g/cm3 _ 2L/min |
真空计 | ATM 开关 |
Baratron 压力表(<10 Torr) | |
泵类型 | 油旋转泵(<1000L/min) |
ETC | 每条进料管路旁通管路 |
笔记本电脑控制 |