TAKCHIP
高性能/小型化半量产级薄膜沉积系统
1. 等离子增强 ALD
- 喷淋头气体注入类型
- 12 英寸晶圆或 200x200mm2 玻璃
- 集群系统
2. 基于 O3 的加热 ALD
| 项 目 | 内 容 |
| 腔室类型 | 方形和垂直 |
| 均匀度 | ≤±2%（25点EE15mm以内） |
| ≤±1%（晶圆到晶圆） | |
| 周期 | ≤ 5ec/周期 |
| 每个周期的增长 | ≤ 1.2Å/周期 |
| 沉积率 | ≥ 15Å/分钟（参考，Al2O3） |
| 节拍时间 (@50nm/1PM) | ≤ 37min（装货到卸货） |
| 透过率 | ≥ 95%（50nm 厚度玻璃） |
| 基础压力 | ≤1.0x10-3托（≤10分钟） |
| 过程压力 | 0.5~2托 |
| 基材温度 | 最大限度。 4000℃，≤±1% |
| 材料 | 炉膛：铝 |
| 加热器：铝或不锈钢加热器 | |
| 气箱 | 气源管线 (3EA) |
| 工艺气体管线 (5EA) | |
| -Ar、O2、N2、NH3 和 1 个备用 | |
| MFC : Max. 1000sccm | |
| 射频电源 | RF 13.56MHz，CCP 型，1kW |
| 氧气发生器 | TBD |
| 真空计 | ATM Switch |
| Baratron Gaug (<10 Torr) | |
| Convectron Gauge (>10Torr) | |
| 泵类型 | 干泵：iH600（8,635 升/分钟） |
