苏州市德风芯半导体有限公司

UniDRON-Semi
共轭焦显微拉曼光谱
晶圆专用分析设备
UniDRON-Semi 共轭焦显微拉曼光谱 晶圆专用分析设备
晶圆材料无限制 可选配 10种 UV to NIR 波段激光器。
软件方程式优势 创新直接呈现 晶圆应力定量结果。
精准回溯每批量晶圆 数据记载和质量把控。

UniDRON-Semi<br />共轭焦显微拉曼光谱<br />晶圆专用分析设备
UniDRON-Semi亮点

12吋晶圆无损分析:定义 12吋晶圆非破坏性 行业标准实验机

专注晶圆材料:晶圆材料无限制 可选配 10种 UV to NIR 波段激光器

直观应力定量:软件方程式优势 创新直接呈现 晶圆应力定量结果

激光穿透分析:收集晶圆不同深度的化学影像和定量比例

无须前置样品:无须 前处理制备 晶圆样品

批量溯源优势:精准回溯每批量晶圆 数据记载和质量把控

符合 ESG 导向:拒绝 有毒和腐蚀性 有害环境的化学物质和制程

共轭焦技术(Confocal) & 实时自动对焦(Autofocus) & 自动分布成像(Mapping)

UniDRON-Semi功能
UniDRON-Semi亮点

晶圆分析点的拉曼讯号演算成一维拉曼光谱图(所有特征)收集每个分析点的指定特征谱峰成像二维拉曼光谱图

分析模式
技术评估数据

晶体晶格种类
(4H、6H、15R)
(原子堆叠排列方式)
(谱峰位置分布)

晶圆深度多层应力
(压缩应力正值)
(拉伸应力负值)
(谱峰位移分布)

晶体晶格缺陷堆垛层错
(大面浅蓝色/小面深蓝色对比)
(谱峰FWHM分布)

晶圆掺杂浓度
双层不同离子注入
(镁掺杂值)(铝掺杂值)(谱峰强度分布)

晶圆掺杂浓度
双层铝离子注入
(铝掺杂值)(谱峰强度分布)

材料结构变化 晶圆切割制程 (谱峰位置分布)
(化学键断裂分解为Si和C/高温析出过量Si和C)

材料成分定性 蚀刻制程异物
(芯片残留SiO2)(谱峰位置分布)

UniDRON-Semi技术


Item
项目

Technology
科技工艺

品号

UniDRON-Semi

品名

UniDRON-Semi 共轭焦显微拉曼光谱晶圆专用分析设备
UniDRON-Semi of Confocal Micro Raman Spectroscopy for Wafer Analysis

12吋晶圆标准机
(实验室场景)

1. 工程师操作
2. 分析数据
3. 共轭焦技术(Confocal)
4. 自动对焦装置(Autofocus)
5. 自动分布成像(Mapping)
6. 直观应力定量

应用市场:半导体

晶锭切片、研磨、化学机械抛光(CMP)、外延生长、薄膜沉积、蚀刻、离子注入、退火、晶圆切割

激光器:可架设最多5激光器

共轭焦光学显微镜:1 SET

自动对焦装置(Autofoucs):可架设最多1自动对焦装置(Autofoucs)

自动载台:1 SET

光路集成:1 SET

侦测器:可架设最多2侦测器

光谱仪:1 SET

控制电脑:1 SET

电源裝置:1 SET

分析模式
(技术评估数据)

1. 晶圆深度应力
2. 晶体晶格种类
3. 晶体晶格缺陷
4. 晶圆掺杂浓度:创新晶圆非破坏性掺杂浓度检测
5. 材料成分分析
6. 材料结构变化


UniDRON-Semi参数


Item

Specification
主要规格

Derived description
衍生信息

适用
晶圆参数

6''8''12''

6'' = 150x150 mm
8'' = 200x200 mm
12'' = 300x300 mm

运用技术

激光激发、共振拉曼光谱、萤光系统、共轭焦显微

分析时长

1. 自动分布成像(Mapping)
2. 依照曝光时间与检测方向将有不同调整

碳化硅8'' 应力测试900个分析点需时15 min

激光器

可选配:可架设最多5激光器(基于最多1自动对焦装置Autofocus,限制横跨SET 选择)

SET-1 (UV&VIS). 266325355405457532633 nm
SET-2 (NIR). 7858301064 nm

功率控制
减光镜

18 0.01-100 %
(0.0010.010.111.53456810153040506080100%)

光斑范围
(光束的尺寸)

可选配:可架设最多5物镜

1.0 - 3.0 µm @5X10X15X20X40X50X100X 物镜

自动载台

XY 轴:解析最大行程300x300 mm、解析最小问距50 nm、重复性< 1 µm、精准性± 1 µm
Z 轴:解析最小间距10 nm、重复定位精度< 1 µm

自动对焦装置
(Autofoucs)

可选配:可架设最多1自动对焦装置(Autofoucs)

SET-1. 讯号对焦
SET-2. 影像对焦(激光器700 nm 以下短波段)
SET-3. 影像对焦(激光器700 nm 以上长波段)

光谱仪

1. 像差校正成像光谱仪:可选配500750 mm 焦距
2. 电动狭缝控制:10µm - 2mm
3. 拉曼位移解析度:0.1-1.0 cm-1每像素
4. 拉曼位移起始位置参考:<80cm-1@ 457nm<60cm-1@ 532 nm<60 cm-1@ 633 nm
5. 灵敏度:可觀察硅三阶峰和硅四阶峰
6. 空间分辨率:1 μm (XY)1 μm (Z)
7. 光谱重複性:±0.02 cm⁻¹

侦测器

可选配:可架设最多2侦测器

SET-1. 高灵敏度背照式晶片冷却CCD2000 x 256 像素(激光器波段200-1100 nm)
SET-2. 晶片冷却NIR InGaAs1024 x 1 像素(激光器波段900-1700 nm)

影像系统

LED白光柯勒照明系统、600万像素CMOS彩色相机

软件

1. UniSCAN, Wafer Map, system control and data quisition/processing
2. Beam switching, Laser power control, Confocal Pinhole, Spectrograph control image
and signal measurement mapping, and data analysis

设备体积

2788 x 1314 x 1991 mm

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